BMBF - Bundesministerium für Bildung und Forschung
Kooperation International
 
StartseiteProjekte ⁄ Verbund: RF2THzSiSoC (From RF to MM-Wave and THz Silicon SOC Technologies) - (Catrene CT-209) - Teilvorhaben: BiCMOS-Plattform mit integrierten optischen Bauelementen für optische Übertragungssysteme und HF-Transceiver

Verbund: RF2THzSiSoC (From RF to MM-Wave and THz Silicon SOC Technologies) - (Catrene CT-209) - Teilvorhaben: BiCMOS-Plattform mit integrierten optischen Bauelementen für optische Übertragungssysteme und HF-Transceiver

Förderkennzeichen: 01BT1209
Projektdauer: 01.01.2012 - 31.12.2014

Im EUREKA Vorhaben RF2THzSiSoC werden Systemkomponenten auf Basis der SiGe BiCMOS-Technologie mit Maximalfrequenzen bis zu 500 GHz für Volumenmärkte in der Kommunikationstechnik sowie der Sensorik mit Millimeterwellen entwickelt. Im Projekt sollen Sender und Empfänger auf Basis integrierter Optik für Anforderungen in 4G Mobilfunknetzen entwickelt werden. Dazu soll photonische Funktionalität in eine IHP-BiCMOS-Technologie integriert werden. Diese Funktionalität soll modular verfügbar sein, wie ein elektronisches Zusatzmodul (z.B. LDMOS), so dass bisherige Entwurfsregeln und Erfahrungen mit der IHP-Technologie genutzt werden können. Die Wellenlängen liegen im 1300-1600nm Bereich. Die Integration erfolgt in der Transistorebene, um die Hochgeschwindigkeitseigenschaften der Technologie effizient zu nutzen. Zur Erreichung der Ziele erfolgt die Entwicklung einer lokalen SOI-Wellenleitertechnologie neben der normalen integrierten Elektronik. Des Weiteren soll ein Prozess für schnelle (20GHz) Germanium-Fotodioden integriert werden. Das photonische Modul wird in den Entwurfs-Katalog (Design-Kit) der entsprechenden IC-Technologie integriert. Geplant sind drei Technologiedurchläufe, die von allen Partnern im Konsortium genutzt werden können. Neben rein elektronischen Vorentwürfen und deren Realisierung werden die Einzelbauelemente der Photonik (Wellenleiter, Dioden, Gitter) optimiert und der Integration angepasst. Test-Entwürfe mit Ge-Fotodioden und Schaltungstechnik werden dann parallel prozessiert, um in zwei Iterationsstufen zum Demonstrator (photonischer Tranciever in einem 4G-System) zu gelangen. Zusammen mit dieser Technologieentwicklung erfolgen die Entwicklung der erforderlichen E/O-Messtechnik und die Einbindung in das Design-Kit.

Projektpartner Deutschland:

IHP GmbH - Innovations for High Performance Microelectronics/Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
Im Technologiepark 25
15236 Frankfurt (Oder)
Dr. Dieter Knoll
Telefon: +49 335 5625 176
PDF:
Download dieser Seite als PDF. Die Datei ist nicht barrierefrei.
Teilen:
Diese Seite weiterempfehlen