Verbundprojekt: Brillante Halbleiterlasermodule; Teilprojekt: Brillante Halbleiterlaser mit vergrabenen implantierten Stromblenden

Das Projekt BRISCL hat das Ziel, Diodenlasermodule für die Lasermaterialbearbeitung weiter voran zu bringen. Als erste Demonstration sollen brillantere, effizientere Diodenlaserbarren und Einzelemitter mit großer Apertur hergestellt werden, basierend auf der neuartigen, patentierten BRIS "Buried-Regrown-Implant-Structure" Halbleitertechnologie (vergrabene implantierte epitaktische Schichtstrukturen). Als zweite Demonstration sollen brillantere fasergekoppelte Diodenlasermodule für Direkt- und Pumpanwendungen mit diesen Lasern und innovativer Strahlbündelungstechnik realisiert werden. In dem hier geförderten AP2, "Brillante Halbleiterlaser mit vergrabenen implantierten Stromblenden", werden die BRIS-Halbleiterquellen entwickelt, hergestellt und an die Projektpartner ausgeliefert. Außerdem wird ein Technologietransfer für die Serienfertigung vorbereitet. AP2 wird als Kooperation zwischen dem FBH (hier geförderte öffentliche Forschungseinrichtung) und dem Großkonzern Jenoptik (Eigenförderung) durchgeführt. Die Mitarbeit an AP1 (PROJECT MANAGEMENT) und AP6 (PRE-EXPLOITATION PLAN) sichert den gemeinsamen Projekterfolg. Die Halbleitertechnologie wurde in bisherigen Projekten auf Einzelemitterbasis demonstriert und patentiert. In BRISCL soll diese Technologie verwendet werden, um auf der Basis von Barren und Großemittern weitere Innovationen und Leistungsskalierungen zu ermöglichen. Konkret sollen mit BRISCL Direktdioden-Lasersysteme mit einer mehr als 8x höheren Brillanz und Pumpquellen für Faserlaser mit einer 4x höheren Brillanz ermöglicht werden, bei gleichbleibender Effizienz ( > 40%).