Im Rahmen des ECSEL-Vorhabens REACTION entwickelt die centrotherm international AG zwei Hochtemperaturöfen für die weltweit erste 200 mm SiC-Pilotlinie. Diese sollen jeweils für das Annealing der SiC-Wafer als auch für die Oxidation der Gates eingesetzt werden. Der größere Waferdurchmesser stellt das Vorhaben vor diverse konstruktive Herausforderungen, vor allem die gleichmäßige Wärmeverteilung bei sehr hohen Temperaturen über die gesamte Waferoberfläche ist ausschlaggebend für die Qualität der Bauelemente. Die Vergrößerung des Durchmessers von 150 mm auf 200 mm erlaubt es in einem Durchgang erheblich mehr Bauteile zu prozessieren. Somit sinken die Einzelkosten pro Bauteil erheblich. Im gesamteuropäischen Verbund haben sich Partner gefunden, die die komplette Wertschöpfungskette von den Materialanbietern bis zu den Endanwendern abdeckt. Am Ende soll die Pilotlinie in der Lage sein die gesamte Entwicklung vom Substrat bis zum fertigen Bauteil zu bedienen.