StartseiteLänderAsienJapanCluster Leistungselektronik: Electronic Circuit Breaker based on SiC Technology for DC Networks (SiC-DCBreaker) – Teilvorhaben G

Cluster Leistungselektronik: Electronic Circuit Breaker based on SiC Technology for DC Networks (SiC-DCBreaker) – Teilvorhaben G

Laufzeit: 01.08.2018 - 31.07.2021 Förderkennzeichen: 03INT501BG
Koordinator: Universität Bremen - Fachbereich 01 Physik/Elektrotechnik - Institut für elektrische Antriebe, Leistungselektronik und Bauelemente

Basierend auf den erfolgreichen Arbeiten des BMBF-Projekts NEST-DC sollen die elektronischen Trenner (OCB-FET) weiterentwickelt und zu höheren Leistungen hin ausgebaut werden. Dazu werden zum einen die SiC-Schalter vom Projektpartner Infineon weiterentwickelt und zum anderen wird eine monolithisch integrierte Lösung des OCB-FET vom Projektpartner Fraunhofer IISB konzipiert und hergestellt. Das IALB übernimmt die Konzeption und das Layout für ein optimales Packaging des OCB-FET und wird die vom IISB aufgebauten OCB-FETs dann charakterisieren. Dabei steht zum einen die thermische Auslegung im Vordergrund, da die Leistung deutlich höher sein wird, als es mit den NEST-DC Mustern möglich war. Zum anderen wird die Ansteuerung, insbesondere die Auslösecharakteristik des OCB-FET im Fokus stehen, da diese für die Einsatzmöglichkeiten entscheidend sein wird. Um diese Ziele zu erreichen, muss der am IALB vorhandene Teststand für höhere Leistungen ertüchtigt werden.

Verbund: SiC-DCBreaker - Electronic Circuit Breaker based on SiC Technology for DC Networks Quelle: Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) Redaktion: DLR Projektträger Länder / Organisationen: Japan Themen: Förderung Innovation

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