Das Ziel des vorgeschlagenen Projekts ist die Entwicklung hochtemperaturbeständiger Be-schichtungssysteme für niederinduktive und hochintegrierte Wide-Band-Gap (WBG) Leistungs-halbleitermodule. Neben der Verwendung eines geeigneten Isolationsmaterials im Zusammen-spiel mit entsprechendem Beschichtungsverfahren, werden neue Prüfverfahren konzipiert sowie bestehende Verfahren zum realitätsnahen Testen der Zuverlässigkeit der Isolationssysteme der WBG-Aufbauten weiterentwickelt.
Cluster Leistungselektronik: High Temperature Materials and Reliability Testing for WBG Power Electronics (IsoGap) – Teilvorhaben G
Laufzeit:
01.08.2018
- 31.10.2021
Förderkennzeichen: 03INT501AG
Koordinator: Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie (IISB)
Verbund:
IsoGap - High Temperature Materials for WBG Power Electronics
Quelle:
Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
Redaktion:
DLR Projektträger
Länder / Organisationen:
Japan
Themen:
Förderung
Innovation
Weitere Informationen
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