Das Ziel des vorgeschlagenen Projekts ist die Entwicklung hochtemperaturbeständiger Beschichtungssysteme für niederinduktive und hochintegrierte Wide-Band-Gap (WBG) Leistungshalbleitermodule. Neben der Verwendung eines geeigneten Isolationsmaterials im Zusammenspiel mit entsprechendem Beschichtungsverfahren, werden neue Prüfverfahren konzipiert sowie bestehende Verfahren zum realitätsnahen Testen der Zuverlässigkeit der Isolationssysteme der WBG-Aufbauten weiterentwickelt
Cluster Leistungselektronik: High Temperature Materials and Reliability Testing for WBG Power Electronics (IsoGap) – Teilvorhaben A
Laufzeit:
01.08.2018
- 31.10.2021
Förderkennzeichen: 03INT501AA
Koordinator: ECPE European Center for Power Electronics e. V.
Verbund:
IsoGap - High Temperature Materials for WBG Power Electronics
Quelle:
Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
Redaktion:
DLR Projektträger
Länder / Organisationen:
Japan
Themen:
Förderung
Innovation
Weitere Informationen
Weitere Teilprojekte des Verbundes
- Cluster Leistungselektronik: High Temperature Materials and Reliability Testing for WBG Power Electronics (IsoGap) – Teilvorhaben B
- Cluster Leistungselektronik: High Temperature Materials and Reliability Testing for WBG Power Electronics (IsoGap) – Teilvorhaben C
- Cluster Leistungselektronik: High Temperature Materials and Reliability Testing for WBG Power Electronics (IsoGap) – Teilvorhaben D
- Cluster Leistungselektronik: High Temperature Materials and Reliability Testing for WBG Power Electronics (IsoGap) – Teilvorhaben E
- Cluster Leistungselektronik: High Temperature Materials and Reliability Testing for WBG Power Electronics (IsoGap) – Teilvorhaben F
- Cluster Leistungselektronik: High Temperature Materials and Reliability Testing for WBG Power Electronics (IsoGap) – Teilvorhaben G
