Die Carl Zeiss SMT GmbH (Zeiss) wird in diesem Teilvorhaben neuartige Technologien entwickeln, mit denen erstmals Einfachbelichtungen im Lithographie-Prozess von kritischen Lagen durchgeführt werden können, die den Anforderungen des 2nm Technologieknotens entsprechen. Das Vorhaben adressiert dabei drei Schwerpunkte: Bei den Lithographie-Optiken sollen für die Komponenten- und System-Messtechnik der 0.55NA EUV Optiken neue Mess- und Optimierungs-Prozesse eingeführt werden. Bei den EUV Spiegeln soll die durch steigende Leistung der EUV Quelle hervorgerufene Wärmelast durch aktive Maßnahmen zur Wärmeabfuhr soweit reduziert werden, dass die für den 2nm geltenden Anforderungen an das Overlay auch bei steigender Leistung erfüllt werden können. Im Bereich Messtechnik für Photomasken sollen Lösungen entwickelt und in einem Demonstrator nachgewiesen werden, die u.a. eine gegenüber dem Stand der Technik zweifach verbesserte Messung von Positionsmarken auf der Photomaske erlauben, was für die Einhaltung der Overlay-Vorgaben des 2nm Knotens erforderlich ist.