Im Verbundprojekt ID2PPAC, das sich mit der Entwicklung neuer Technologien für die EUV-Lithographie befasst, mit der der 2 nm-Technologieknoten realisiert werden kann, werden von der optiX fab GmbH im einem Teilvorhaben neue Schichtstapel untersucht, die als Rückseitenbeschichtung von Masken der EUV-Lithographie genutzt werden können. Diese Schicht ist notwendig, um die EUV-Maske, die die auf den Wafern herzustellende Struktur vorgibt, in den neuen Systemen montieren und nutzen zu können. Entscheidend ist, dass die neuen Schichten sowohl optisch transparent, elektrisch ausreichend leitfähig und auch mechanisch belastbar sind. Die Hauptaufgabe besteht für die optiX fab GmbH darin, neue Schichtsysteme zu entwickeln. Hierfür müssen verschiedene Schichten abgeschieden und detailliert charakterisiert werden. Dafür sollen verschiedene Analyseverfahren wie u. a. Röntgenreflektometrie, Röntgenbeugung, Rasterkraftmikroskopie kombiniert werden, um ein genaues Model der Schichtstruktur für die verschiedenen Materialien zu erhalten. Im Anschluss werden die entwickelten Schichten Praxistests unterzogen, um deren Leistungsfähigkeit unter realen Bedingungen zu evaluieren. Mithilfe dieser Erkenntnisse können die Schichtsysteme weiter optimiert werden, bis sie alle an sie gestellte Anforderungen erfüllen.