TRANSFORM ist in erster Linie ein Technologieprojekt für SiC-Leistungselektronik, das die wichtigsten europäischen Akteure versammelt und die gesamte Wertschöpfungskette von Materialien, Halbleitertechnologien, Anlagen, Designs und Komponenten bis hin zu den Systemen abdeckt. Um die Entwicklung von 200-mm-Materialien und Fertigungskapazitäten zu ermöglichen, umfasst es aber auch die Entwicklung und Optimierung einiger wichtiger Anlagen. Das IISB entwickelt gemeinsam mit Partnern Anlagen und Prozesse zu drei SiC-spezifischen Technologieschritten: Epitaxie, Oxidation zur Bildung des MOSFET-Oxid und Ausheilen der Implantation zur Aktivierung der Dotierstoffe. Darüber hinaus verfolgt das Projekt neue Ansätze bei der Materialcharakterisierung. Das IISB entwickelt im Projekt innovative Substrat- und Epitaxieschicht-Charakterisierung, um den Einblick in die Material- und Prozessqualität zu vertiefen und die Entwicklung von SiC-Fertigungshardware und -prozessen sowie neuartigen SiC-Substraten zu beschleunigen.