Das übergeordnete Ziel von TRANSFORM ist der Aufbau einer vollständigen und wettbewerbsfähigen europäischen Lieferkette für Leistungselektronik auf Basis von Siliziumkarbid (SiC)-Leistungshalbleitern. Centrotherm wird unter Transform seine 200mm Prototyp Annealing Anlage weiterentwickeln und verbessern. Diese Beta State Anlage wird bei FhG IISB dem Konsortium zur Verfügung gestellt, um dort Material- und Prozessentwicklung für 200mm SmartCut SiC Wafer zu ermöglichen. Außerdem sollen diverse wichtige Prozessmodule in Zusammenarbeit mit FhG IISB und anderen Partnern weiter entwickelt werden, z.B. In-line Monitoring, APC, C-cap, Gate Oxide, In-situ cleaning und Trench Glättung. Damit soll Qualität, Kontrolle und Produktivität der centrotherm SiC Anlagen und der darauf laufenden Prozesse weiter optimiert werden.