StartseiteLänderEuropaItalienVerbundprojekt: Enhanced substrates and GaN pilot lines enabling compact power applications - PowerBase -; Teilvorhaben: Kompakte Leistungshalbleiter für Automatisierungssysteme

Verbundprojekt: Enhanced substrates and GaN pilot lines enabling compact power applications - PowerBase -; Teilvorhaben: Kompakte Leistungshalbleiter für Automatisierungssysteme

Laufzeit: 01.05.2015 - 30.06.2018 Förderkennzeichen: 16ESE0011S
Koordinator: Fabmatics GmbH

Das ECSEL-Vorhaben POWERBASE vereint europaweit 40 Partner, um gemeinsam die Voraussetzungen für anspruchsvollste Leistungshalbleiter, gefertigt in Europa, zu schaffen. Die deutschen Partner adressieren dabei vor allem a) neue Leistungshalbleitertechnologien auf Basis neuartiger 300mm Silizium-Basismaterialien, b) neue Galliumnitrid- Leistungshalbleitertechnologien und die dazugehörige Gehäusetechnologie, c) neue Methoden für die Hochautomatisierung von Leistungshalbleiterfertigungen und d) Demonstration der systematischen Vorteile der neuartigen Leistungshalbleiter in verschiedenen Anwendungen. Der Schwerpunkt der Arbeiten von HAP befasst sich mit der Konzipierung und Implementierung neuer GaN-basierten Leistungshalbleiter in mobile Automatisierungssysteme. Um die bestehenden Herausforderungen für kompakte und energieeffiziente Leistungshalbleiter umfassen zu bearbeiten, werden mittels POWERBASE zwei Wege gleichzeitig beschritten: zum einen der von Siliziumtechnologien, bei gleichzeitiger Berücksichtigung der neuesten 300 mm Leistungshalbleitertechnologien, zum anderen der von Galliumnitridtechnologien. Beide Wege werden zu deutlichen Fortschritten in den Arbeitsbereichen More than Moore und System in Package führen. Es müssen Kernanforderungen gesammelt und gewichtet werden. Ferner sind Test- und Messaufbauten notwendig, um die neuen Bauteile zu vermessen und bewerten zu können. Final soll ein Demonstrator entstehen, der die Vorteile der Verwendung der neuen GaN-basierten Leistungshalbleiter in mobilen Automatisierungssystemen bestätigt.

Verbund: Enhanced substrates and GaN pilot lines enabling compact power applications Quelle: Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) Redaktion: DLR Projektträger Länder / Organisationen: Österreich Belgien Spanien Vereinigtes Königreich (Großbritannien) Italien Niederlande Norwegen Slowakei Themen: Förderung Information u. Kommunikation

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