Im ECSEL-Vorhaben UltimateGaN arbeiten 7 deutsche und europaweit 21 Partner zusammen, um gemeinsam die Voraussetzungen für eine neue Generation Leistungshalbleiter zu schaffen. Zielstellungen der deutschen Partner adressieren dabei vor allem neue Leistungs- und Hochfrequenzbauelelemente auf Basis neuer serientauglicher Galliumnitrid-Technologien und dazugehöriger Gehäusetechnologien. Das Fraunhofer IMWS wird dazu ein erweitertes Verständnis zu Degradationsmechanismen und Fehlermodis von GaN basierten Bauelementstrukturen als Grundlage zur Steigerung der Ausbeute, Zuverlässigkeit und Lebensdauer erarbeiten und GaN-Grenzflächeneigenschaften und Defekte in der GaN Epitaxie mit Bezug zu den elektrischen Eigenschaften der Bauelemente erforschen. Dafür werden neue höchstauflösende Analyseverfahren eingesetzt sowie neue fehlerdiagnostische Methoden erprobt und weiterentwickelt.