Das Ziel von UltimateGaN liegt in der Erforschung und Entwicklung neuer, auf Galliumnitrid (GaN) basierter, Prozess- und Bauelementtechnologien für die Leistungselektronik. Der Fokus soll hierbei sowohl auf vertikale als auch auf laterale Technologien gelegt werden. Neben Ausbeute- und Zuverlässigkeitsaspekten werden zudem auch neue Packaging-Konzepte im Projekt adressiert, um die inhärenten Vorteile von GaN auch vollständig ausschöpfen zu können. Die Ergebnisse sollen schließlich für verschiedene Anwendung-Szenarien, zu denen Stromversorgungen für Serveranalgen, Photovoltaikinverter und Ladegeräte, 5G-Verstärker und LIDAR-Anwendungen gehören, demonstriert werden. Die TUC wird sich im Projekt mit den damit einhergehenden Problemstellungen hinsichtlich der thermo-mechanischen Zuverlässigkeit beschäftigen. Dabei werden zum einem umfassenden (Lebensdauer-)Tests, zum anderem FE-basierte Simulationen mit dem Ziel eines ganzheitlichen 'Virtuellen Prototypings' durchgeführt.