Als Schlüsseltechnologie für Energieeffizienz sind Leistungshalbleiter eine wesentliche Voraussetzung für die Innovationskraft der Industrie, Basis für wirtschaftliches Wachstum und nachhaltige Arbeitsplätze in Deutschland sowie in Europa. Das ECSEL-Vorhaben POWERBASE vereint 13 deutsche und europaweit 40 Partner, um gemeinsam Voraussetzungen für neue hocheffiziente Leistungshalbleiter zu schaffen. Die deutschen Partner adressieren dabei vor allem Leistungshalbleiter¬technologien auf Basis neuartiger 300 mm Silizium-Basismaterialien, neue Galliumnitrid- Leistungshalbleiter und die dazugehörige Gehäusetechnologien, neue Methoden für die Hochautomatisierung von Leistungshalbleiterfertigungen und Demonstration der systematischen Vorteile innovativer Leistungshalbleiter in verschiedenen Anwendungen. Über das BMBF-Teilvorhaben EnPower ist die Fraunhofer-Gesellschaft mit den Einrichtungen IWMH, EMFT und THM in das ECSEL-Projekt eingebunden. Fraunhofer IWMH arbeitet an der Entwicklung von GaN- basierten Technologien durch Materialdiagnostik, Fehleranalytik und Modellierung auf Substrat-, Halbleiter- und Bauelementeebene mit. Das THM unterstützt die Technologieentwicklungen zur Herstellung von neuartigen 300 mm Silizium-Basismaterialien durch prozessbegleitende Charakterisierungen und erforscht die Defektentstehung in dem neuen Basismaterial. Die EMFT wird hochohmige Siliziumsubstrate sowie Bauteile auf hochohmigen Substraten bis 300 mm detailiert auf Defekte analysieren.
Verbundprojekt: Enhanced substrates and GaN pilot lines enabling compact power applications - PowerBase -; Teilvorhaben: Entwicklungsbegleitende Untersuchungen von extrem dotierten 300 mm Siliciumeinkristallen
            
                
                    Laufzeit:
                    01.05.2015
                    
                        - 30.06.2018
                    
                
            
            
                
                    Förderkennzeichen: 16ESE0061S
                
            
            
            
        
			
				
						
								
									Koordinator: Fraunhofer-Institut Technologiezentrum Halbleitermaterialien (THM)
								
						
				
    
    
                        
    
	
	
	
			
					
            
            
            
                
                    Verbund:
                    Enhanced substrates and GaN pilot lines enabling compact power applications
                
            
            
            
                
                    Quelle:
                    Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
                
            
            
				
					Redaktion:
					
					
              
                DLR Projektträger
              
						
				
            
			
				Länder / Organisationen:
				
					
					
				
					
					Österreich
				
					
					Belgien
				
					
					Spanien
				
					
					Vereinigtes Königreich (Großbritannien)
				
					
					Italien
				
					
					Niederlande
				
					
					Norwegen
				
					
					Slowakei
				
					
					
				
					
					
				
			
			
				Themen:
        
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
                Förderung
              
            
				
          
              
                Information u. Kommunikation
              
            
				
			
            
            
            
		
	
    
	
        
	
    
    
		
    
            
                    
                            
																
																	Weitere Informationen
Weitere Teilprojekte des Verbundes
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