Leistungshalbleiter sind eine wesentliche Voraussetzung für die Innovationskraft der Industrie, und somit Basis für wirtschaftliches Wachstum und nachhaltige Arbeitsplätze in Deutschland und Europa: als Beispiele seien die weltweit erfolgreichen Industriesparten Industrieausrüstung und Automobilbau genannt. Leistungshalbleiter ermöglichen heute energieeffiziente Stromversorgungen und Antriebsregelungen – um hier weitere Fortschritte zu erzielen, müssen Leistungshalbleitertechnologien stetig verbessert werden. Das ECSEL-Vorhaben POWERBASE vereint europaweit 40 Partner, um gemeinsam die Voraussetzungen für anspruchsvollste Leistungshalbleiter, gefertigt in Europa, zu schaffen. Im Rahmen des ECSEL-Vorhabens POWERBASE wird NanoFocus wesentliche, für die im POWERBASE Vorhaben geplante GaN Packaging Pilotlinie kritische, Prozessparameter identifizieren, die notwendigen physikalischen und systemtechnischen Voraussetzungen und Eigenschaften für deren schnelle und zuverlässige In-Line Erfassung untersuchen und feststellen und die notwendige Technologie für deren Überwachung in prozessrelevanter Geschwindigkeit erarbeiten und umsetzen. Die auf diese Weise realisierbaren schnellen Feedback-Loops ermöglichen eine hoch effiziente Steuerung von Produktionsprozessen und tragen so wesentlich zur Gewährleistung einer international wettbewerbsfähigen Produktionslinie von Leistungshalbleitern bei. Die NanoFocus AG plant im Projekt POWERBASE insgesamt 87 Personenmonate in insgesamt 22 individuellen Arbeitspaketen aufzuwenden. NanoFocus AG plant die Arbeiten in WP5 des POWERBASE Vorhabens durchzuführen und eng mit den Bedürfnissen von Infineon Regensburg (WP5 Leader) abzustimmen. Die NanoFocus Arbeitspakete lassen sich in die Phasen Definition, Grundlagenuntersuchung, Implementierung, Umsetzung und Nachweis unterteilen und erstecken sich über die gesamte 36-Monatige Laufzeit des POWERBASE Vorhabens.
Verbundprojekt: Enhanced substrates and GaN pilot lines enabling compact power applications - PowerBase -; Teilvorhaben: Untersuchung und Definition der Yield Detractors für eine Europäische GaN Packaging Pilotlinie
            
                
                    Laufzeit:
                    01.05.2015
                    
                        - 30.06.2018
                    
                
            
            
                
                    Förderkennzeichen: 16ESE0002
                
            
            
            
        
			
				
						
								
									Koordinator: NanoFocus AG
								
						
				
    
    
                        
    
	
	
	
			
					
            
            
            
                
                    Verbund:
                    Enhanced substrates and GaN pilot lines enabling compact power applications
                
            
            
            
                
                    Quelle:
                    Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
                
            
            
				
					Redaktion:
					
					
              
                DLR Projektträger
              
						
				
            
			
				Länder / Organisationen:
				
					
					
				
					
					Österreich
				
					
					Belgien
				
					
					Spanien
				
					
					Vereinigtes Königreich (Großbritannien)
				
					
					Italien
				
					
					Niederlande
				
					
					Norwegen
				
					
					Slowakei
				
					
					
				
					
					
				
			
			
				Themen:
        
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
                Förderung
              
            
				
          
              
                Information u. Kommunikation
              
            
				
			
            
            
            
		
	
    
	
        
	
    
    
		
    
            
                    
                            
																
																	Weitere Informationen
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