StartseiteAktuellesNachrichtenGroßbritannien: Neues Innovationszentrum für Verbindungshalbleiter

Großbritannien: Neues Innovationszentrum für Verbindungshalbleiter

Berichterstattung weltweit

Die britische Regierung hat bekanntgegeben in Wales ein Innovationszentrum für Verbindungshalbleiter einzurichten und mit insgesamt 50 Millionen Pfund (67,3 Mio. €) zu finanzieren.

Der britische Schatzkanzler (Chancellor of the Exchequer) George Osborne hat am 7. Januar während eines Besuches an der Universität Cardiff die Pläne zur Gründung eines Innovationszentrums zu Anwendungen von Verbindungshalbleitern bekanntgegeben. In Wales arbeiten künftig Experten aus Wirtschaft und Wissenschaft im sogenannten "Compound Semiconductor Applications Catapult" zusammen, um neue Anwendungs- und Vermarktungsmöglichkeiten für Verbindungshalbleitertechnologien zu entwickeln. Die britische Regierung hat zugesichert, das Innovationszentrum in den kommenden fünf Jahren mit jährlich rund zehn Millionen Pfund (ca. 13,5 Mio. €) zu finanzieren.

Insgesamt unterhält die britische Regierung noch neun weitere sogenannte Catapults. Diese Innovationszentren sollen eine Brücke zwischen Wissenschaft und Wirtschaft schlagen und Start-Ups mit Fördermitteln, Expertise und Infrastruktur bei der Markteinführung neuer Technologien unterstützen.

Quelle: Government of the United Kingdom - Announcements / VDI TZ Redaktion: von Tim Mörsch, VDI Technologiezentrum GmbH Länder / Organisationen: Vereinigtes Königreich (Großbritannien) Themen: Infrastruktur Förderung Engineering und Produktion Physik. u. chem. Techn. Innovation

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