Im Teilvorhaben sollen Grundlagen für die Übertragung optischer Filter auf Wafer mit photosensitiven Bereichen geschaffen werden. Hierbei werden solche Filter betrachtet, die als Stapel dünner, dielektrischer Schichten aufgebaut sind (sogenannte Multilayer). Als eine typische Anwendung wurden Filter für Tageslichtsensoren ausgewählt (ALS – ambient light sensor). Sie sind in erster Linie dadurch gekennzeichnet, dass sie den Spektralbereich zwischen ca. 700 nm und 1100 nm sperren, da dieser zwar im Bereich der Empfindlichkeit von Si-Photodetektoren liegt, nicht jedoch im Empfindlichkeitsbereich des menschlichen Auges. Folgende Arbeitsziele werden innerhalb des Teilvorhabens verfolgt: - die Entwicklung von geeigneten Schichtaufbauten, gekennzeichnet durch Schichtmaterialien und Schichtdicken, für die Umsetzung der gewünschten Filterfunktion (sogenanntes Schichtdesign), - die Ermittlung von Randbedingungen an das Schichtdesign, die aus dem Mikrotransfer-Prozess resultieren, wie zum Beispiel die maximale intrinsische Schichtspannung, - die Erprobung der Schichtherstellung mit den Verfahren des plasma-gestützten reaktiven Mag-netron-Sputterns und des ionengestützten Elektronenstrahlverdampfens in Verbindung mit dem anschließenden Mikro-Transfer-Prozess, - die Ermittlung der Stabilität der Filterfunktion unter den Umweltbelastungen (insbesondere Temperatur) des Mikro-Transferprozesses und der Nachbearbeitung.