StartseiteLänderAsienTaiwanDie Grenzfläche Metall-Ge: grundlegende Untersuchungen zur Schottky-Barriere und ohmschen Kontakten

Die Grenzfläche Metall-Ge: grundlegende Untersuchungen zur Schottky-Barriere und ohmschen Kontakten

Laufzeit: 01.11.2018 - 31.03.2022 Förderkennzeichen: 01DO18019
Koordinator: Helmholtz-Zentrum Dresden - Rossendorf e. V. - Institut für Ionenstrahlphysik und Materialforschung

Im Projekt sind folgende Reisen geplant: Dr. Slawomir Prucnal und Dr. Shengqiang Zhou werden im Februar 2019 die NTU für sieben Tage besuchen. Im Vordergrund des ersten Aufenthaltes stehen die Besichtigung der verfügbaren Ausrüstung sowie die Durchführung der Röntgenphotoemissionsspektroskopie an dotierten und mittels FLA im ms-Bereich ausgeheilten Proben. Ein zweiter 7-tägiger Aufenthalt von Frau Yufang Xie an der NTU ist für August 2019 vorgesehen. Geplant sind Untersuchungen zum Einfluss der Oberflächenkontamination auf das Fermi-Pinning in ultra-dotierten Ge-Schichten. Frau Yufang Xie wird dabei Proben untersuchen, die sowohl in Taiwan als auch am HZDR hergestellte wurden. Ein dritter Besuch an der NTU ist für Februar 2020 geplant. Während des 7-tägigen Aufenthaltes werden Dr. Slawomir Prucnal und Dr. Shengqiang Zhou die erzielten Ergebnisse und den Projektfortschritt analysieren und eine erste Veröffentlichung planen. Der vierte und letzte Besuch von Frau Yufang Xie an der NTU ist für sieben Tage im Mai 2020 vorgesehen. Sie wird die elektrischen Eigenschaften von n-MOSFETs mit optimierten Parametern (Dotierung, ohmscher Kontakt, Oberflächenpassivierung) untersuchen. Die am Projekt beteiligte taiwanesische Gruppe wird das Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf mindestens viermal besuchen. Während dieser Aufenthalte liegt der Schwerpunkt auf der FLA im ms-Bereich und der Ionenimplantation. Durch den Wissensaustausch mit den Partnern soll der Prozessablauf für den n-MOSFET mit Kanallängen unter 10 nm verbessert werden. Ziel des Projektes ist es, hochdotiertes n – Ge mit niederohm´schen Kontakten über eine ex-situ Dotierung und ms–Germanidierung zu realisieren. Dabei sollen die Implantation von P und As und anschließender FLA mit dem Ziel der n- Dotierung von Ge untersucht werden. Unter Verwendung von FLA zur Dotandenaktivierung und zur Kontaktformierung zwischen Metall und n – Ge kann eine unerwünschte Diffusion von P und As vollständig unterdrückt werden.

Quelle: Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) Redaktion: DLR Projektträger Länder / Organisationen: Taiwan Themen: Förderung Innovation

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