Infineon wird das Verhalten von Niederspannungs-MOSFET-Bauelementen und Lateral-Diffsion-MOSFETs (LDMOS) auf Bulk-Silizium bis hinunter zu einer Temperatur von 4 Kelvin untersuchen und dabei Gleichstrom- und Gleichspannungseigenschafen messen. Darüber hinaus wird auch das Bauelementerauschen charakterisieret und modelliert. Ferner werden Silizium-Germanium Bipolartransistoren (SiGe HBTs) von Infineons eigenen 130nm und 90nm BiCMOS-Technologien im Hinblick auf ihre Eigenschafen bei tiefen Temperaturen charakterisiert und entsprechende Modellierungen vorgenommen. Mit Blick auf die spätere Systemintegration werden des Weiteren vorhandene Packaging-Prozesse für Halbleiter-Bausteine hinsichtlich ihrer Eignung für Anwendungen unter Kryo-Bedingungen untersucht und weiterentwickelt.