In REFERENCE wird ein Hochfrequenzsubstrat erarbeitet. SOITEC entwickelt in direkter Zusammenarbeit mit SILTRONIC ein SOI (Silicon on Insulator) Material, das eine Schicht mit hoher Störstellendichte direkt unter dem vergrabenen Oxid bekommt. Diese Schicht führt über die elektrischen Wechselwirkungen zu einer Verbesserung der Linearität der Transistoren im aktiven Silizium auf dem vergrabenen Oxid. Die Wertschöpfungskette umfasst die Substratherstellung, die Verwendung dessen in einem vorangeschrittenen CMOS Prozess, in dem die Demonstratoren der Partner hergestellt werden. Dafür konnte ein komplementäres Konsortium gefunden werden, das aus akademischen Partnern, KMUs und großen Unternehmen besteht. Innerhalb dieses Verbundes wird GLOBALFOUNDRIES im Teilvorhaben DIFFERNZ die Demonstratoren mit anderen RF-Prozessen aus dem Portfolio der Firma vergleichen und so das Potential des neuen Substrates beurteilen helfen. Die zusätzliche Schicht mit den vielen Störstellen (Trap-rich layer) beeinflusst viele Schritte der zur Verfügung gestellten Technologie. Es muss beurteilt werden welche das sind und wie die Beeinflussung abgefangen werden kann. Messschritte müssen zum Teil weggelassen werden, um keine "künstlichen" Fehler zu erzeugen. Daher werden die Wafer mit der Schicht mit "normalen" Scheiben mitlaufen, um auf diesen die erforderlichen Messungen machen zu können. Zunächst wird anhand von Testmaskensätzen untersucht, ob die Gesamtdurchläufe erfolgreich gewesen waren, bevor dann Transistoren auf ihre Hochfrequenzeigenschaften hin geprüft und verglichen werden können. Später werden dann von den Partnern designte Testschaltungen und Demonstratoren realisiert und mit deren Pendant im "normalen" Substrat verglichen. Es wird erwartet, dass die Qualität der Wafer, die in diesem Projekt für die FDSOI-Technologie bereitgestellt werden, begrenzt sein wird (nur Gebiete auf den Wafern können zur Auswertung herangezogen werden).