StartseiteLänderEuropaEuropa: Weitere LänderVerbundprojekt: Technologien für neuartige Leistungselektronik und Radaranwendungen - UltimateGaN -; Teilvorhaben: Materialcharakterisierung und innovative Fehlerdiagnostik für hocheffiziente GaN basierte Hochfrequenz- und Leistungselektronik-Bauelemente

Verbundprojekt: Technologien für neuartige Leistungselektronik und Radaranwendungen - UltimateGaN -; Teilvorhaben: Materialcharakterisierung und innovative Fehlerdiagnostik für hocheffiziente GaN basierte Hochfrequenz- und Leistungselektronik-Bauelemente

Laufzeit: 01.05.2019 - 31.10.2022 Förderkennzeichen: 16ESE0419
Koordinator: Fraunhofer-Institut für Mikrostruktur von Werkstoffen und Systemen (IMWS)

Im ECSEL-Vorhaben UltimateGaN arbeiten 7 deutsche und europaweit 21 Partner zusammen, um gemeinsam die Voraussetzungen für eine neue Generation Leistungshalbleiter zu schaffen. Zielstellungen der deutschen Partner adressieren dabei vor allem neue Leistungs- und Hochfrequenzbauelelemente auf Basis neuer serientauglicher Galliumnitrid-Technologien und dazugehöriger Gehäusetechnologien. Das Fraunhofer IMWS wird dazu ein erweitertes Verständnis zu Degradationsmechanismen und Fehlermodis von GaN basierten Bauelementstrukturen als Grundlage zur Steigerung der Ausbeute, Zuverlässigkeit und Lebensdauer erarbeiten und GaN-Grenzflächeneigenschaften und Defekte in der GaN Epitaxie mit Bezug zu den elektrischen Eigenschaften der Bauelemente erforschen. Dafür werden neue höchstauflösende Analyseverfahren eingesetzt sowie neue fehlerdiagnostische Methoden erprobt und weiterentwickelt.

Verbund: Technologien für neuartige Leistungselektronik und Radaranwendungen Quelle: Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) Redaktion: DLR Projektträger Länder / Organisationen: Österreich Belgien Schweiz Spanien Italien Norwegen Slowakei Schweden Themen: Förderung Information u. Kommunikation

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