Projekte: Slowakei

Hier finden Sie eine Übersicht zu laufenden und abgeschlossenen Vorhaben der Projektförderung des BMBF mit Beteiligung der Slowakei. Aufgeführt werden Vorhaben mit einer Laufzeit bis mindestens zum Jahr 2018. Die Projekte werden in chronologischer Reihenfolge angezeigt (neueste zuerst).
Hinweis: Die Liste enthält sowohl Einzelprojekte, als auch Verbundprojekte, die aus mehreren Teilprojekten bestehen. Die Teilprojekte eines Verbundprojektes sind miteinander verlinkt.

Sie können die Projekte nach Start- und Endjahren und nach Fachbereichen filtern. Eine Mehrfachauswahl von Fachbereichen führt dazu, dass durch die Filter Projekte für alle ausgewählten Fachbereiche angezeigt werden („oder“-Auswahl), sie ist nicht auf Kombinationen beschränkt („und“-Auswahl).

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Laufzeit: 01.10.2015 - 31.03.2018 Förderkennzeichen: 01QE1526C

Verbundprojekt: Entwicklung von zweilagig isolierend und leitenden Kabelverbindungen, Verzweigungen und Anschlüssen; Teilprojekt: Untersuchung neuartiger Gele und Hartschalenmaterialien.

Das Vorhaben zielt darauf ab, elektrische Schalter, Muffen oder Verteiler insbesondere für Verteiler für Solaranlagen und Windturbinen zu entwickeln, die einen Außenmantel mit hoher Isolationsfähigkeit besitzen und im Inneren mit mehreren…

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Laufzeit: 01.05.2015 - 30.06.2018 Förderkennzeichen: 16ESE0008

Verbundprojekt: Enhanced substrates and GaN pilot lines enabling compact power applications - PowerBase -; Teilvorhaben: Identifizierung und Strategien zur Passivierung effizienzlimitierender Defekte in GaN-basierter Leistungselektronik durch ab…

Leistungshalbleiter sind eine wesentliche Voraussetzung für die Innovationskraft der Industrie, und somit Basis für wirtschaftliches Wachstum und nachhaltige Arbeitsplätze in Deutschland und Europa: als Beispiele seien die weltweit erfolgreichen…

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Laufzeit: 01.05.2015 - 30.06.2018 Förderkennzeichen: 16ESE0009

Verbundprojekt: Enhanced substrates and GaN pilot lines enabling compact power applications – PowerBase -; Teilvorhaben: Handling und Bestückung für die GaN-Packaging-Pilotline

Das Projekt POWERBASE hat zum Ziel, mehrere Pilotlinien im Bereich von Waferprozessierung und Gehäusefertigung für kompakte Leitungshalbleiter aufzusetzen bzw. auszubauen. Dies, verbunden mit Erprobungen im großen Maßstab, ist von großer Wichtigkeit…

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Laufzeit: 01.05.2015 - 30.06.2018 Förderkennzeichen: 16ESE0010

Verbundprojekt: Enhanced substrates and GaN pilot lines enabling compact power applications - PowerBase -; Teilvorhaben:Sintern und Hochtemperaturverbindungstechniken

Leistungshalbleiter sind eine wesentliche Voraussetzung für die Innovationskraft der Industrie, und somit Basis für wirtschaftliches Wachstum und nachhaltige Arbeitsplätze in Deutschland und Europa: als Beispiele seien die weltweit erfolgreichen…

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Laufzeit: 01.05.2015 - 30.06.2018 Förderkennzeichen: 16ESE0011S

Verbundprojekt: Enhanced substrates and GaN pilot lines enabling compact power applications - PowerBase -; Teilvorhaben: Kompakte Leistungshalbleiter für Automatisierungssysteme

Das ECSEL-Vorhaben POWERBASE vereint europaweit 40 Partner, um gemeinsam die Voraussetzungen für anspruchsvollste Leistungshalbleiter, gefertigt in Europa, zu schaffen. Die deutschen Partner adressieren dabei vor allem a) neue…

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Laufzeit: 01.05.2015 - 30.06.2018 Förderkennzeichen: 16ESE0012S

Verbundprojekt: Enhanced substrates and GaN pilot lines enabling compact power applications - PowerBase -; Teilvorhaben: Siliciumwafer mit 300 mm Durchmesser und extremen Materialeigenschaften für Leistungsbauelemente

Das ECSEL-Vorhaben PowerBase vereint europaweit 40 Partner, um gemeinsam die Voraussetzungen für anspruchsvollste Leistungshalbleiter, gefertigt in Europa, zu schaffen. Die deutschen Partner adressieren dabei vor allem a) neue…

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Laufzeit: 01.05.2015 - 30.06.2018 Förderkennzeichen: 16ESE0013S

Verbundprojekt: Enhanced substrates and GaN pilot lines enabling compact power applications - PowerBase -; Teilvorhaben: GaN-Substratentwicklung für horizontale Leistungsbauelemente - HorGaN

Ziel des Projektes ist die Entwicklung von großflächigen, freistehenden halbisolierenden GaN-Substraten für die Fertigung von modernsten horizontalen Hochleistungstransistoren. Für die Herstellung dieser großflächigen Substrate wird zunächst die…

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Laufzeit: 01.05.2015 - 30.06.2018 Förderkennzeichen: 16ESE0061S

Verbundprojekt: Enhanced substrates and GaN pilot lines enabling compact power applications - PowerBase -; Teilvorhaben: Entwicklungsbegleitende Untersuchungen von extrem dotierten 300 mm Siliciumeinkristallen

Als Schlüsseltechnologie für Energieeffizienz sind Leistungshalbleiter eine wesentliche Voraussetzung für die Innovationskraft der Industrie, Basis für wirtschaftliches Wachstum und nachhaltige Arbeitsplätze in Deutschland sowie in Europa. Das…

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Laufzeit: 01.05.2015 - 30.06.2018 Förderkennzeichen: 16ESE0001

Verbundprojekt: Enhanced substrates and GaN pilot lines enabling compact power applications - PowerBase -; Teilvorhaben: GaN auf Silizium - Gehäusetechnik macht den Unterschied

Leistungshalbleiter sind herausragende Schlüsselkomponenten der Europäischen Wirtschaft, z.B. Automobilindustrie ("eMobility") und Energieeffizienz. Das ECSEL-Vorhaben PowerBase vereint europaweit 40 Partner aus 9 Ländern, um gemeinsam…

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