Im Vorhaben "Ultimate GaN" verfolgt das Fraunhofer IAF in enger Zusammenarbeit mit dem Konsortüm im Rahmen des EU-Projekts das Ziel, eine GaN-basierte Technologie und -Bauelemente auf Silizium Substraten für hohe Frequenzen > 28 GHz zu entwickeln. Durch den Einsatz von kostengünstigen und Industrie-kompatiblen 200 mm Silizium Substraten sollen leistungsfähige Transistor-Bauelemente und integrierte Schaltungen (ICs) entwickelt werden, die sich durch eine erstklassige Leistungsdichte, Effizienz und Zuverlässigkeit auszeichnen. Diese GaN/Si-Baulemente können in hochstandartisierten CMOS-Prozessanlagen hergestellt werden und sollen deutlich kostengünstiger sein als vergleichbare GaN-Technologien auf SiC Substraten, welche den aktuellen "Stand der Technik" definieren. Gerade im Hinblick auf den Einsatz dieser zukünftigen GaN/Si Technologien in den aufstrebenden Märkten, wie den Mobilfunksystemen der 5. Generation (5G) oder ähnlicher hochfrequenter Leistungsanwendungen, wird der Preis für zuverlässige Hochfrequenz Komponenten dieser Systeme eine entscheidende Rolle spielen.