Die Infineon Technologies AG ist stark in die Erreichung der Hauptziele des EU-Projekts UltimateGaN eingebunden. So soll die führende Position Europas in Bezug auf Leistungshalbleiter und Hochleistungs-HF-Anwendungen gesichert werden, indem mit der nächsten Generation von GaN-Technologien ein bahnbrechender Wandel vollzogen wird. Mehrere Vorgängerprojekte an denen auch Infineon beteiligt war, bilden die Grundlage für die Verfügbarkeit der ersten Generation von auf GaN basierenden Geräten auf europäischer Basis und zeigen auch, dass die Herausforderungen dieser Technologien stark unterschätzt wurden. Dies macht das hohe Potenzial von GaN deutlich sichtbar, um die anhaltenden Herausforderungen durch höhere elektrische Felder, Stromdichten und Leistungsdichten zu überwinden, die mit der Notwendigkeit einer weiteren Miniaturisierung zusammenhängen. Infineon wird im Rahmen des Projekts das neue Konzept, einen vertikalen Ansatz zur Erforschung der gesamten Lieferkette von Technologie, Packaging, Zuverlässigkeit und Anwendung verfolgen und wird so eine signifikante Verbesserung der Effizienz ermöglichen, die über die Grenzen von Halbleitern auf Siliziumbasis hinausgeht, in Verbindung mit Gehäusen, die den Verkleinerungsprozess im Bereich der Leistungshalbleiter für GaN voll nutzen. Infineon wird unter anderem die folgenden innovativen Anwendungen mit ermöglichen, die die Digitalisierung und Energieeffizienz für 5G, Smart Grids und Smart Mobility verbessern und mit einer deutlichen Reduzierung des CO2-Fußabdrucks einhergehen: • Äußerst effiziente Server-Stromversorgung für geringeren Energieverbrauch in Rechenzentren • Benchmark von Photovoltaik-Wechselrichtern in Bezug auf Effizienz und Größe zur Förderung der Nutzung erneuerbarer Energien • Kostengünstige 5G-Verstärker bis zu mm-Wave für einen schnelleren 5G-Rollout • GaN-gestützte LIDAR-Anwendung für autonomes Fahren • Höchste Effizienz von µ-Grid-Konvertern und Bordladegeräten