Die Forschungen erfolgen im Rahmen des europäischen Partnerverbundes UltimateGaN. Parallel zu den Arbeiten an großflächigen GaN auf Si- und Polyaluminiumnitrid-Substraten der Verbundpartner werden in diesem Teilvorhaben vertikale GaN MOSFET Bauelemente mit dicker Driftlage auf 2" GaN-Substraten entwickelt. Ziel des Teilvorhabens ist es, die Materialgrenzen von GaN hinsichtlich einer Anwendung für vertikale Bauelemente der Leistungselektronik zu erforschen. Dies steht in direktem Zusammenhang mit dem übergeordneten Projektziel, den Weg zu vertikalen Power GaN-Bauelementen und verwandten Technologien zu erkunden. Durch die Erforschung insbesondere von dicken Driftlagen und dem Einsatz von CMOS-kompatiblen Processierungsmethoden soll auf eine großtechnisch, herstellbare vertikale GaN-Bauteiltechnologie hingearbeitet werden.