Die Beteiligung der Fraunhofer Gesellschaft am TAPES3-Projekt soll vor allem die weltweit führende Position deutscher Industrieunternehmen im Bereich von Geräten für die Halbleiterfertigung stärken und ausbauen. Die Fraunhofer Institute IISB und IWS werden mit ihren Arbeiten zur Modellierung hochauflösender EUV-Optiken bzw. zur Entwicklung verbesserter Politur- und Beschichtungsverfahren die Firma Zeiss SMT bei der Entwicklung von EUV-Projektionsoptiken unterstützen.
Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Mirror substrate EUV ML coating process for 3nm resolution optics
            
                
                    Laufzeit:
                    01.10.2018
                    
                        - 31.01.2022
                    
                
            
            
                
                    Förderkennzeichen: 16ESE0333S
                
            
            
            
        
			
				
						
								
									Koordinator: Fraunhofer-Institut für Werkstoff- und Strahltechnik (IWS)
								
						
				
    
    
                        
    
	
	
	
			
					
            
            
            
                
                    Verbund:
                    Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik
                
            
            
            
                
                    Quelle:
                    Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
                
            
            
				
					Redaktion:
					
					
              
                DLR Projektträger
              
						
				
            
			
				Länder / Organisationen:
				
					
					
				
					
					Österreich
				
					
					Belgien
				
					
					Schweiz
				
					
					Frankreich
				
					
					Vereinigtes Königreich (Großbritannien)
				
					
					Israel
				
					
					Niederlande
				
					
					
				
					
					
				
			
			
				Themen:
        
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
                Förderung
              
            
				
          
              
                Information u. Kommunikation
              
            
				
			
            
            
            
		
	
    
	
        
	
    
    
		
    
            
                    
                            
																
																	Weitere Informationen
Weitere Teilprojekte des Verbundes
- Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: EUV Projektionsobjektiv für die 3nm Auflösung
 - Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Simulation anamorpher Abbildungsoptiken und zugehöriger Maskentechnologien
 - Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: EUV-Prüfoptiken und Masken für die 3nm Auflösung
 - Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Evaluierung und Optimierung neuer Materialien, die als Absorberschicht auf den EUV-Masken zum Einsatz kommen
 - Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Referenzmetrologie für EUV Photomasken
 - Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Entwicklung neuartiger Messverfahren und zugehöriger Technologien für den Aufbau einer effizienten Maskeninfrastruktur der zukünftigen 3-nm-Halbleiterherstellung
 - Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: 3nm SiGe Substrat Wafer
 - Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Reinigungsprozesse und Infrastruktur für EUV Photomasken mit alternativen Absorbern
 - Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Untersuchungen zur Masken-Infrastruktur für die nächste Generation der EUV Technologie