Die Themen in diesem Projektantrag sind Teil des europäischen Gesamtprojektes TAPES3 (Technology Advances for Pilot line of Enhanced Semiconductors for 3 nm), das aufgrund seiner Gesamtstruktur die Infrastruktur und die notwendigen Technologien bereitstellt bzw. in ihm entwickelt, um die EUV Technologie als nächste Wafer Belichtungstechnologie zu ermöglichen. Die in diesem Zusammenhang relevanten Themengebiete der EUV Photomaskenreinigung wurde innerhalb des TAPES3 Konsortiums der SÜSS MicroTec Photomask Equipment GmbH & Co. KG (SMT PE) übertragen. Innerhalb des Projektes entwickelt SMT PE Reinigungsmethoden für neuartige Absorberschichtsysteme von EUV Photomasken. Auch die Integration von neuen Reinigungsmethoden in eine Maskenreinigungsanlage und die Entwicklung von entsprechenden Reinigungsprozessen sind Bestandteil dieses Projekts. Insgesamt werden folgende Teilziele in diesem Projekt verfolgt: 1. Identifikation von Spezifikationswerten und Definition von Reinigungsprozessen für neuartige Absorbersysteme von EUV Photomasken. Definition von Maßnahmen zur Modifizierung der MaskTrackPro EUVL Reinigungsanlage für neuartige Reinigungsprozesse. 2. Integration und prozesstechnische Validierung von neuartigen Reinigungsprozessen in der MaskTrackPro EUVL Reinigungsanlage für die Reinigung von neuartigen Absorbersystemen von EUV Photomasken
Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Reinigungsprozesse und Infrastruktur für EUV Photomasken mit alternativen Absorbern
            
                
                    Laufzeit:
                    01.10.2018
                    
                        - 31.01.2022
                    
                
            
            
                
                    Förderkennzeichen: 16ESE0294
                
            
            
            
        
			
				
						
								
									Koordinator: SUSS MicroTec Solutions GmbH & Co. KG
								
						
				
    
    
                        
    
	
	
	
			
					
            
            
            
                
                    Verbund:
                    Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik
                
            
            
            
                
                    Quelle:
                    Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
                
            
            
				
					Redaktion:
					
					
              
                DLR Projektträger
              
						
				
            
			
				Länder / Organisationen:
				
					
					
				
					
					Österreich
				
					
					Belgien
				
					
					Schweiz
				
					
					Frankreich
				
					
					Vereinigtes Königreich (Großbritannien)
				
					
					Israel
				
					
					Niederlande
				
					
					
				
					
					
				
			
			
				Themen:
        
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
                Förderung
              
            
				
          
              
                Information u. Kommunikation
              
            
				
			
            
            
            
		
	
    
	
        
	
    
    
		
    
            
                    
                            
																
																	Weitere Informationen
Weitere Teilprojekte des Verbundes
- Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: EUV Projektionsobjektiv für die 3nm Auflösung
 - Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Simulation anamorpher Abbildungsoptiken und zugehöriger Maskentechnologien
 - Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: EUV-Prüfoptiken und Masken für die 3nm Auflösung
 - Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Evaluierung und Optimierung neuer Materialien, die als Absorberschicht auf den EUV-Masken zum Einsatz kommen
 - Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Referenzmetrologie für EUV Photomasken
 - Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Entwicklung neuartiger Messverfahren und zugehöriger Technologien für den Aufbau einer effizienten Maskeninfrastruktur der zukünftigen 3-nm-Halbleiterherstellung
 - Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: 3nm SiGe Substrat Wafer
 - Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Untersuchungen zur Masken-Infrastruktur für die nächste Generation der EUV Technologie
 - Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Mirror substrate EUV ML coating process for 3nm resolution optics