Das übergeordnete Ziel von TAPES3 besteht darin, die Entwicklung der Halbleiterindustrie, dem Moorschen-Gesetze und ihrer weltweiten Roadmap folgend, zu unterstützen. Der Schwerpunkt wird auf der Forschung zur Realisierung der nächsten technologischen Schritte liegen, die erforderlich sind, um die Fähigkeiten der Industrie in den Bereichen Lithografie, Strukturierung, Messtechnik, Maskeninfrastruktur und Prozessmodule auf das Niveau zu bringen, das für die Herstellung von 3-nm-Produkten erforderlich ist. Das beantrage Teilprojekt ordnet sich ein in das Aufgabenfeld EUV Maskeninfrastruktur von TAPES3. Folgende Punkte werden bearbeitet: ­ EUV-Masken mit alternativem Absorber für 3nm: Ziel ist es, eine verbesserte Bildgebung durch Reduktion der sogenannten 3D-Maskeneffekte zu erreichen. Die PTB unterstützt diese Arbeiten mit: o EUV-optischen Messungen für die Charakterisierung alternativer Absorber o Metrologischen Referenzmessungen zu den Dimensionen der nano-strukturierten Absorberschicht o Chemische Speziation abgeschiedener Oberflächenschichten mittels Röntgenfluoreszenz im Bereich unter 2 keV ­ Nutzung und Unterhaltung von EUV-Masken für 3-nm-Technologie: Untersuchung von Degradationsprozessen und Entwicklung von Strategien zur Vermeidung. Die PTB unterstützt diese Arbeiten mit: o EUV-optischen Messungen für die Charakterisierung der Degradationsprozesse bzgl der Abbildungseigenschaften o Chemische Speziation der Oberflächen (z.B Kontamination, Oxidation) mittels Röntgenfluoreszenz im Bereich unter 2 keV ­ Reduktion von Maskendefekten für 3-nm-Technologie: verbesserte Methoden der Fehlerkompensation im ML, inkl. Fähigkeit zur Entwicklung zur Reparatur von Phasendefekten und Entwicklung einer europäischen aktinischen Maskeninspektionsplattform. Die PTB unterstützt diese Arbeiten mit: o Messung von Beugungseffizienzen im Spektralbereich des EUV und Unterstützung bei der physikalischen Modellentwicklung für CDI zur Defektlokalisation auf EUV-Masken