Im Verbundprojekt TAPES3, das sich mit der Entwicklung neuer Technologien für die EUV-Lithographie befasst, mit der der 3 nm-Technologieknoten realisiert werden kann, werden von der optiX fab GmbH im einem Teilvorhaben neue Materialien untersucht, die als hochabsorbierende Schicht auf Masken der EUV-Lithographie genutzt werden können. Diese bildet die auf den Wafern herzustellende Struktur ab und muss hohen Anforderungen genügen. Entscheidend ist, dass die neuen Materialien sowohl den optischen als auch strukturellen Anforderungen genügen. Die hochabsorbierenden Schichten müssen möglichst glatt und defektfrei aufgebracht werden können und zudem strukturierbar sein. Die Hauptaufgabe besteht für die optiX fab GmbH darin, neue Materialien hierfür zu evaluieren. Hierfür müssen verschiedene Schichten abgeschieden und detailliert charakterisiert werden. Dafür sollen verschiedene Analyseverfahren wie u. a. Röntgenreflektometrie, Röntgenbeugung, Rasterkraftmikroskopie und EUV-Reflektometrie kombiniert werden, um ein genaues Model der Schichtstruktur für die verschiedenen Materialien zu erhalten.