Zeiss wird im Teilvorhaben "EUV Projektionsobjektiv für die 3nm Auflösung" ein auf anamorphotischer Abbildung basierendes hyper NA EUV Projektionsobjektiv entwickeln und als Prototyp bereitstellen. Das Objektiv wird ein Auflösungspotential zur Strukturierung von Logikschaltkreisen in 3nm-Technologie aufweisen. Es wird beim Projektpartner ASML in einen ersten hyper NA EUV Scanner integriert, evaluiert und in seiner Performanz optimiert. Im Teilvorhaben "EUV Maskeninfrastruktur" wird Zeiss die Verzeichnismetrologie für anamorphotische Masken weiterentwickeln und qualifizieren. Darüber hinaus beteiligt sich Zeiss an der Auswahl und Bewertung alternativer EUV-Absorber für verminderte Masken-3D-Effekte. Zeiss entwickelt und demonstriert in diesem Teilvorhaben ferner Maskenreparaturprozesse für die sehr hohen Anforderungen beim N3 Knoten.