Projekte: Italien
Hier finden Sie eine Übersicht zu laufenden und abgeschlossenen Vorhaben der Projektförderung des BMBF mit Beteiligung Italiens. Aufgeführt werden Vorhaben mit einer Laufzeit bis mindestens zum Jahr 2018. Die Projekte werden in chronologischer Reihenfolge angezeigt (neueste zuerst).
Hinweis: Die Liste enthält sowohl Einzelprojekte, als auch Verbundprojekte, die aus mehreren Teilprojekten bestehen. Die Teilprojekte eines Verbundprojektes sind miteinander verlinkt.
Sie können die Projekte nach Start- und Endjahren und nach Fachbereichen filtern. Eine Mehrfachauswahl von Fachbereichen führt dazu, dass durch die Filter Projekte für alle ausgewählten Fachbereiche angezeigt werden („oder“-Auswahl), sie ist nicht auf Kombinationen beschränkt („und“-Auswahl).
Verbundprojekt: Metrologie für die Halbleiter-Herstellung mit Industrie 4.0 - MADEin4 -; Teilvorhaben: Referenzmetrologie für die Nanotechnologie
Zur Erfüllung der neuen metrologischen Herausforderungen der Produktion von Nanostrukturen, z.B. in der Halbleiterindustrie sollen die Messwerkzeuge selbst mit der Umgebung vernetzt werden (Cyber Physical Systems (CPS)) und neue Werkzeuge und…
Verbundprojekt: Metrologie für die Halbleiter-Herstellung mit Industrie 4.0 - MADEin4 -; Teilvorhaben: Verbesserung der Kontaminationskontrolle
Das Ziel des Vorhabens ist die Verbesserung der Nachweisgrenzen von für die Halbleiterindustrie wichtigen (Ultra)-Spurenelementen, welche sich momentan nur bedingt und mit hohem Aufwand quantifizieren lassen. Zu diesen Elementen zählen u.a. Phosphor,…
ERA-CVD Verbund: PICASSO: Aufschlüsselung von Proprotein Convertase Subtilisin / Kexin Typ 9 (PCSK9) Mechanismen in der kalzifizierenden Aortenklappenerkrankung
Die kalkhaltige Aortenklappen-Stenose (CAVS) ist eine tödliche Pathologie, die 2-3% der Bevölkerung betrifft. Bisherige Therapieansätze sind jedoch weitestgehend unwirksam, weswegen die Ursachen der Aortenklappen-Verkalkung (AVC) zur Entwicklung…
Integrals - INTEGRative Multi-OMICs-Ansätze in iPSC-abgeleiteten 2D- und 3D-Modellen, um die Rolle des Immun- und Energiestoffwechsels im Zusammenhang mit Genen/-Wegen in der Amyotrophen Lateralsklerose aufzuklären
Die amyotrophe Lateralsklerose (ALS) ist eine seltene Gruppe neurologischer Erkrankungen, die Patienten und ihre Familien massiv belastet und einen erheblichen Einfluss auf die Gesellschaft hat. ALS zeichnet sich durch einen progressiven Verlust der…
ERA-CVD: FIBER: Fibrose-Behandlung durch Ausschaltung pro-fibrotischer Enhancer
Beim Herzversagen, insbesondere wenn Gefäßerkrankungen die Ursache sind, kommt es regelmäßig zu einer schädlichen Anreicherung von Bindegewebe, zur so genannten Fibrose. Diese Fibrose wirkt sich weiter schädlich auf die Elastizität der Herzkammern…
ERA-CVD: DETECT-ARRHYTHMIAS: Untersuchung des kardialen "Interaktoms" und dessen Einfluss auf die Elektrophysiologie bei Herz-Rhythmusstörungen.
Herz-Rhythmusstörungen sind häufig, betreffen Millionen von Menschen weltweit und stellen eine wesentliche Herausforderung an das Gesundheitssystem dar, da sie mit signifikanter Zunahme an Morbidität und Mortalität assoziiert sind. So sind…
Verbundprojekt: Technologien für neuartige Leistungselektronik und Radaranwendungen - UltimateGaN -; Teilvorhaben: Erforschung von GaN/Si Leistungsbauelementen und der dazugehörigen, zuverlässigen Aufbau- und Verbindungstechnologien
Die Infineon Technologies AG ist stark in die Erreichung der Hauptziele des EU-Projekts UltimateGaN eingebunden. So soll die führende Position Europas in Bezug auf Leistungshalbleiter und Hochleistungs-HF-Anwendungen gesichert werden, indem mit der…
Verbundprojekt: Technologien für neuartige Leistungselektronik und Radaranwendungen - UltimateGaN -; Teilvorhaben: MOCVD-Technologie für die Realisierung der zukünftigen GaN-Roadmap
Ziel dieses Projektes ist die Entwicklung einer Technologie zur Realisierung von Bauteilen der nächsten Generation von GaN basierenden Bauelementen für die Mikrowellen- und Leistungselektronik. Das übergeordnete Ziel des UltimateGaN-Projekts ist:…
Verbundprojekt: Technologien für neuartige Leistungselektronik und Radaranwendungen - UltimateGaN -; Teilvorhaben: RF GaN Substrat Wafer
Das ECSEL-Vorhaben UltimateGaN vereint europaweit 26 Partner aus 9 Ländern, um gemeinsam die Voraussetzungen für anspruchsvollste Galliumnitrid auf Silizium basierter RF- und Leistungshalbleiter, gefertigt in Europa, zu schaffen. Hauptziele von…
