Das ECSEL-Vorhaben POWERBASE vereint europaweit 40 Partner, um gemeinsam die Voraussetzungen für anspruchsvollste Leistungshalbleiter, gefertigt in Europa, zu schaffen. Die deutschen Partner adressieren dabei vor allem a) neue Leistungshalbleitertechnologien auf Basis neuartiger 300mm Silizium-Basismaterialien, b) neue Galliumnitrid- Leistungshalbleitertechnologien und die dazugehörige Gehäusetechnologie, c) neue Methoden für die Hochautomatisierung von Leistungshalbleiterfertigungen und d) Demonstration der systematischen Vorteile der neuartigen Leistungshalbleiter in verschiedenen Anwendungen. Der Schwerpunkt der Arbeiten von HAP befasst sich mit der Konzipierung und Implementierung neuer GaN-basierten Leistungshalbleiter in mobile Automatisierungssysteme. Um die bestehenden Herausforderungen für kompakte und energieeffiziente Leistungshalbleiter umfassen zu bearbeiten, werden mittels POWERBASE zwei Wege gleichzeitig beschritten: zum einen der von Siliziumtechnologien, bei gleichzeitiger Berücksichtigung der neuesten 300 mm Leistungshalbleitertechnologien, zum anderen der von Galliumnitridtechnologien. Beide Wege werden zu deutlichen Fortschritten in den Arbeitsbereichen More than Moore und System in Package führen. Es müssen Kernanforderungen gesammelt und gewichtet werden. Ferner sind Test- und Messaufbauten notwendig, um die neuen Bauteile zu vermessen und bewerten zu können. Final soll ein Demonstrator entstehen, der die Vorteile der Verwendung der neuen GaN-basierten Leistungshalbleiter in mobilen Automatisierungssystemen bestätigt.
Verbundprojekt: Enhanced substrates and GaN pilot lines enabling compact power applications - PowerBase -; Teilvorhaben: Kompakte Leistungshalbleiter für Automatisierungssysteme
            
                
                    Laufzeit:
                    01.05.2015
                    
                        - 30.06.2018
                    
                
            
            
                
                    Förderkennzeichen: 16ESE0011S
                
            
            
            
        
			
				
						
								
									Koordinator: Fabmatics GmbH
								
						
				
    
    
                        
    
	
	
	
			
					
            
            
            
                
                    Verbund:
                    Enhanced substrates and GaN pilot lines enabling compact power applications
                
            
            
            
                
                    Quelle:
                    Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
                
            
            
				
					Redaktion:
					
					
              
                DLR Projektträger
              
						
				
            
			
				Länder / Organisationen:
				
					
					
				
					
					Österreich
				
					
					Belgien
				
					
					Spanien
				
					
					Vereinigtes Königreich (Großbritannien)
				
					
					Italien
				
					
					Niederlande
				
					
					Norwegen
				
					
					Slowakei
				
					
					
				
					
					
				
			
			
				Themen:
        
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
                Förderung
              
            
				
          
              
                Information u. Kommunikation
              
            
				
			
            
            
            
		
	
    
	
        
	
    
    
		
    
            
                    
                            
																
																	Weitere Informationen
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