Leistungshalbleiter sind eine wesentliche Voraussetzung für die Innovationskraft der Industrie, und somit Basis für wirtschaftliches Wachstum und nachhaltige Arbeitsplätze in Deutschland und Europa: als Beispiele seien die weltweit erfolgreichen Industriesparten Industrieausrüstung und Automobilbau genannt. Leistungshalbleiter ermöglichen heute energieeffiziente Stromversorgungen und Antriebsregelungen – um hier weitere Fortschritte zu erzielen, müssen Leistungshalbleitertechnologien stetig verbessert werden. Das ECSEL-Vorhaben POWERBASE vereint europaweit 40 Partner, um gemeinsam die Voraussetzungen für anspruchvollste Leistungshalbleiter, gefertigt Europa, zu schaffen. Die deutschen Partner adressieren dabei vor allem a) neue Leistungshalbleitertechnologien auf Basis neuartiger 300 mm Silizium-Basismaterialien, b) neue Galliumnitrid- Leistungshalbleitertechnologien und die dazugehörige Gehäusetechnologie, c) neue Methoden für die Hochautomatisierung von Leistungshalbleiterfertigungen und d) Demonstration der systematischen Vorteile der neuartigen Leistungshalbleiter in verschiedenen Anwendungen. Anwendungsfelder wie z.B. Automobilelektronik und Solar benötigen Leistungsmodule mit einer hohen thermischen Stabilität. Derzeit sind Silizium Chips mit Lotkontakten oder Lotdrähten elektronisch verbunden. In diesem Teil des Projektes werden Hochtemperaturverbindungstechniken untersucht. Von besonderem Interesse ist die "Unter Bump Metallisierung" basierend auf stromlos abgeschiedenem Nickel und Silber. Weil Silber erst bei 900°C schmilzt, wird es für diese Anwendung herangezogen.
Verbundprojekt: Enhanced substrates and GaN pilot lines enabling compact power applications - PowerBase -; Teilvorhaben:Sintern und Hochtemperaturverbindungstechniken
            
                
                    Laufzeit:
                    01.05.2015
                    
                        - 30.06.2018
                    
                
            
            
                
                    Förderkennzeichen: 16ESE0010
                
            
            
            
        
			
				
						
								
									Koordinator: Pac Tech - Packaging Technologies GmbH
								
						
				
    
    
                        
    
	
	
	
			
					
            
            
            
                
                    Verbund:
                    Enhanced substrates and GaN pilot lines enabling compact power applications
                
            
            
            
                
                    Quelle:
                    Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
                
            
            
				
					Redaktion:
					
					
              
                DLR Projektträger
              
						
				
            
			
				Länder / Organisationen:
				
					
					
				
					
					Österreich
				
					
					Belgien
				
					
					Spanien
				
					
					Vereinigtes Königreich (Großbritannien)
				
					
					Italien
				
					
					Niederlande
				
					
					Norwegen
				
					
					Slowakei
				
					
					
				
					
					
				
			
			
				Themen:
        
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
                Förderung
              
            
				
          
              
                Information u. Kommunikation
              
            
				
			
            
            
            
		
	
    
	
        
	
    
    
		
    
            
                    
                            
																
																	Weitere Informationen
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