Das Fraunhofer IPMS wird sich im Projekt an der Entwicklung der nächsten Generation von Bauteilen im Automotive Markt beteiligen. Durch die Integration von zusätzlichen funktionalen Modulen in der Ebene des Back-End-of-Line (BEoL) von Chips wird Fraunhofer die zukünftige Entwicklung der europäischen und insbesondere deutschen Mikroelektronik stärken. Das Ziel dieses Projekts sind neuartige Speicherbauelemente, welche ferroelektrisches Hafniumoxid (HfO2) enthalten im Interconnect bzw. BEoL Level einer der führenden europäischen 200mm Foundry XFAB. Dies benötigt die Expertise von Fraunhofer IPMS in vielen Feldern wie Tieftemperaturabscheidung, hochentwickelter Speicherbauelemente, Kontaktstrukturierung, Verkapslung und Kontaminationsmanagement hinsichtlich der Einbringung von neuen Materialien in die Aluminiumbasierte BEoL Umgebung. Die Fähigkeiten, welche Fraunhofer IPMS in diesem Projekt demonstrieren möchte, reichen jedoch weit über Speicherbauelemententwicklung hinaus, da die Einbringung und Strukturierung neuartiger Metalle und Isolatoren in einer gut eingeführten aber auch hoch sensiblen BEoL Umgebung von großer Bedeutung für neuartige Kondensatorlösungen, SoC integrierte Sensorelemente, Energieharvester oder Batterien ist.
Verbundprojekt: Neuartige Datenspeicherchips für leistungsstarke Automobilelektronik - WAKeMeUP -; Teilvorhaben: Integration von ferroelektrischen Schichten in das BEoL für NVSRAM (INES)
            
                
                    Laufzeit:
                    01.06.2018
                    
                        - 31.08.2021
                    
                
            
            
                
                    Förderkennzeichen: 16ESE0297S
                
            
            
            
        
			
				
						
								
									Koordinator: Fraunhofer-Institut für Photonische Mikrosysteme (IPMS) - Center Nanoelectronic Technologies
								
						
				
    
    
                        
    
	
	
	
			
					
            
            
            
                
                    Verbund:
                    Neuartige Datenspeicherchips für leistungsstarke Automobilelektronik
                
            
            
            
                
                    Quelle:
                    Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
                
            
            
				
					Redaktion:
					
					
              
                DLR Projektträger
              
						
				
            
			
				Länder / Organisationen:
				
					
					
				
					
					Tschechische Republik
				
					
					Spanien
				
					
					Frankreich
				
					
					Türkei
				
					
					
				
					
					
				
			
			
				Themen:
        
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
            
				
          
              
                Förderung
              
            
				
          
              
                Information u. Kommunikation
              
            
				
			
            
            
            
		
	
    
	
        
	
    
    
		
    
            
                    
                            
																
																	Weitere Informationen
Weitere Teilprojekte des Verbundes
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