GaN4AP wird die Leistung und Zuverlässigkeit von Hochspannungs-GaN-Schaltbauteilen für Einsatzspannungen bis 1200 V weit über den aktuellen Stand der Technik hinaus vorantreiben. Eines der ambitionierten Ziele des Cluster 3 ist es eine komplette Wertschöpfungskette für vertikale GaN - Leistungselektronik zu entwickeln. Das beinhaltet die Herstellung von bulk GaN Substraten für die Epitaxie, Prozessentwicklung und Herstellung von vertikalen GaN-Bauelementen in einer industriekompatiblen Prozesslinie, was schlussendlich die Verifikation der neuentwickelten Bauelemente in einer Systemumgebung beinhaltet. FCM als erstes Kettenglied in dieser Wertschöpfungskette wird hierbei höchstleitfähige, freistehende GaN-Substrate mit einem hohen Durchmesser als Basismaterial für die vertikalen Bauelemente entwickeln. Hierfür soll eine HVPE Anlage mit liegendem Keim eingesetzt werden.