Durch das ECSEL-Verbundvorhaben "Seven Nanometer Technology" soll die Europäische Industrie in die Lage versetzt werden Ausrüstungen für den 7nm Technologieknoten, der entsprechend Moore’s Law im Jahr 2018 erwartet wird, zu entwickeln. Das Institut für Mikroelektronik (IMS) konzentriert sich im Teilprojekt "EUV-Prüfoptiken und Masken" auf die Erforschung von Fertigungsmethoden für hochpräzise Diffraktive Optische Elemente (DOE) zur Prüfung und Bewertung der Scanner-Objektivspiegel, auf die Realisierung alternativer EUV-Maskenlösungen sowie auf Methoden zur Reduzierung der Defektgenration bei der EUV-Belichtung. Aus den DOE-Spezifikationen, die von Zeiss SMT definiert wurden, werden die Anforderungen für die einzelnen Komponenten der DOE-Infrastruktur abgeleitet. Nach der Realisierung der Infrastruktur werden die Einzelprozesse entwickelt und nach der Prozess-Integration wird ein DOE-Demonstrator für SMT zur Bewertung bereitgestellt. Durch das Projektkonsortium werden alternative EUV-Maskenlösungen entworfen, die den Anforderungen fortgeschrittener Technologieknoten entsprechen können. Danach beginnt die Erforschung von Prozessen zur Strukturierung der ausgewählten alternativen Materialien. Nach der Integration der Einzelschritte zu einer Technologie werden Demonstratoren gefertigt. Zur gezielten Abschattung von Multilayer Defekten durch den Absorber werden zunächst die Einzelschritte der Absorber-Positionierung auf einem Blank mit Alignment-Marken untersucht. Basierend auf diesen Erkenntnissen erfolgen die Konzipierung eines Prozesses, der die erforderliche Positionsgenauigkeit der Absorberstrukturen gewährleistet sowie die Verifizierung dieses Prozesses mit einem Demonstrator.