Das Vorliegende Teilprojekt soll im Rahmen im Rahmen einer produktionstauglichen EUV-Lithographielösung für den 7nm-Knoten mehrere Teilaspekte beitragen: Die Kompensation von Topographiedefekten im Multilayer-Spiegel von EUV Masken. Die Einbindung dieses Reparaturansatzes in ein Gesamtkonzept zur Bereitstellung defektfreier EUV Masken. Machbarkeitsstudien Reparatur auf Absorber-Defekten mit Hilfe von elektronenstrahl-induzierten Prozessen auf Demonstratormasken für kommende Technologieknoten. Phase 1: Reparatur von Multilayer-Defekten in EUV Masken für den 7nm-Knoten (Optimierung von Prozessparametern, Evaluierung von Reparaturergebnissen). Phase 2: Reparatur der Restmenge von Multilayer-Defekten komplementär zu den Arbeiten von Konsortiums-Partnern (Abstimmung, Prozessstabilität, Evaluierung). Phase 3: Machbarkeitstest zur Reparierbarkeit alternativer EUV Maskentechnologien (Grundlagentests von Präkursoren, Prozessstabilität).