Hauptaufgabe von Sindlhauser Materials ist die Entwicklung eines Herstellungsprozesses für hochreine Al- und Ga-Sputtertargets und die kontinuierliche Lieferung dieser Targets an den Projektpartner FhG-FEP. Die Technologie der Ga-Targets ist aufgrund der sehr hohen Anforderungen an die Reinheit und die homogene Mikrostruktur aktuell kommerziell nicht verfügbar. Stand der Technik ist das Schmelzen und Gießen von Targets mit einer Reinheit von bis zu 4 N (99,99%) und das Verkleben auf einer Cu-Trägerplatte. Die sehr hohe Reinheit (6 bis 7N, 99,9999%), der niedrige Schmelzpunkt von Ga (29,7 ° C), die Affinität zur Auflösung vieler Metalle und die mögliche Dotierung der Ga - Targets erfordern in diesem Projekt völlig neue Lösungen für die Herstellungstechnologie und die Handhabung der einzelnen Komponenten. Es muss eine spezielle Technologie entwickelt werden, um die Temperatur während des Gießprozesses sehr genau zu steuern, um somit eine homogene feine Mikrostruktur zu erreichen. Diese Aktivitäten sind Teil der grundlegenden WBG-Technologieentwicklung des Projekts, die sich auf eine neue alternative AlN- und GaN-Abscheidungstechnologie durch reaktives Sputtern konzentriert.