StartseiteFörderungProjekteVerbundprojekt: Zuverlässige Leistungselektronik aus neuartigen Materialien für die energieeffiziente Elektromobilität - HiPERFORM -; Teilvorhaben: Sputtertechnologie für epitaktische Aluminiumnitrid-/ Galliumnitrid-Schichten

Verbundprojekt: Zuverlässige Leistungselektronik aus neuartigen Materialien für die energieeffiziente Elektromobilität - HiPERFORM -; Teilvorhaben: Sputtertechnologie für epitaktische Aluminiumnitrid-/ Galliumnitrid-Schichten

Laufzeit: 15.08.2018 - 31.10.2021 Förderkennzeichen: 16EMOE023S
Koordinator: Fraunhofer-Institut für Organische Elektronik, Elektronenstrahl- und Plasmatechnik (FEP)

Das Gesamt-Projekt HiPERFORM zielt auf die industrielle Anwendbarkeit zu entwickelnder SiC- und GaN-Halbleiterbauelemente für künftige "Smart-Mobility-"/ "Smart Industry-"/ "Smart Energy- Produkte". Diese bieten großes Potential für höhere, mit Si-Bauelementen nicht erreichbare Performance und zugleich niedrigere Kosten der Elektronik, stärken damit die europäische Position auf diesem Gebiet und tragen zugleich substantiell zur Senkung der CO2-Emission im Transportsektor und damit zur Erreichen der europäischen Klimaziele bei. Das Ziel des Teilprojekts von FhG-FEP ist die Entwicklung einer Technologie zur epitaktischen AlN / GaN-Schichtabscheidung mittels Reaktiv-Magnetronsputterns, die Beschränkungen der bisher eingesetzten MOCVD-Abscheidetechnologie überwindet. Durch höhere Abscheideraten (Waferdurchsatz), geringere Kosten für die Ausgangssubstanzen und das Potenzial zum Übergang auf größere Wafer sollen die Fertigungskosten durch Nutzung des Sputterns wesentlich gesenkt werden.

Verbund: Zuverlässige Leistungselektronik aus neuartigen Materialien für die energieeffiziente Elektromobilität Quelle: Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) Redaktion: DLR Projektträger Länder / Organisationen: Österreich Belgien Spanien Italien Niederlande Slowakei Slowenien Themen: Förderung Information u. Kommunikation

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