StartseiteLänderEuropaNiederlandeVerbundprojekt: Neue Fertigungstechnologien für innovative Elektroniksysteme für das Internet der Dinge - PRIME -; Teilvorhaben: Entwicklung einer 22nm FDSOI-Device-Suite und eines Auswahltransistors für eine 28nm p STT- MRAM-Technologie

Verbundprojekt: Neue Fertigungstechnologien für innovative Elektroniksysteme für das Internet der Dinge - PRIME -; Teilvorhaben: Entwicklung einer 22nm FDSOI-Device-Suite und eines Auswahltransistors für eine 28nm p STT- MRAM-Technologie

Laufzeit: 01.04.2016 - 31.03.2019 Förderkennzeichen: 16ESE0109S
Koordinator: GLOBALFOUNDRIES Dresden Module One Limited Liability Company & Co. KG

1. Ziel des Projektvorhabens PRIME ist es, Basis – IP, Design und Prozessabläufe für Low Power-Technologien für Anwendungen des Internet of Things (IoT) zu entwickeln. Die Zusammenarbeit der akademischen Partner TU Dresden, Fraunhofer IPMS mit den Großunternehmen Singulus, ZMDI und GLOBALFOUNDRIES ist sehr eng. Zur Antragsphase konnten noch die KMUs Dreamchip (Design) und Bubbles & Beyond (intelligent Fluids) eingebunden werden. Insgesamt besteht eine sehr enge Verzahnung des deutschen Konsortiums. Die Wertschöpfungskette umfasst akademische Partner, Anlagenhersteller, Design und Technologie. Demonstratoren können bei GLOBALFOUNDRIES in modernen low power Technologien entstehen und verifiziert werden. Auf diese Weise sollen wesentliche Voraussetzungen geschaffen werden, um innovative und hochqualitative Anwendungen für das IoT frühzeitig und passgenau auf die jeweilige Anwendung bereitzustellen. GLOBALFOUNDRIES entwickelt dazu eine 22nm FDSOI-Technologie mit Back-Bias-Option und einen Auswahltransistor für die "perpendicular STT- MRAM"-Technologie, die als Schluesselinnovation für nichtflüchtige Speichertechnologien gilt. Nichflüchtige Speicher werden für System on Chips benötigt, um Informationen zu speichern, die auch nach Abschalten der Betriebsspannung erhalten bleiben. 2. Die geplante Laufzeit des Projektvorhabens beträgt drei Jahre. Dazu wird GLOBALFOUNDRIES im ersten Jahr die Devices hinsichtlich Performance / Leakage charakterisieren und definieren. Als nächster Schritt folgt die ausführliche Charakterisierung der Back-Bias-Option und die Festlegung des Process Design-Kits anhand dessen bei anderen Firmen Produkte designt werden können. Im dritten Jahr erfolgen zahlreiche Zuverlässikeitstests und die finale Definition der Devices. Anhand von Multi-Project-Wafern können die Designs in Silizium verifiziert werden.

Verbund: Neue Fertigungstechnologien für innovative Elektroniksysteme für das Internet der Dinge Quelle: Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) Redaktion: DLR Projektträger Länder / Organisationen: Belgien Frankreich Niederlande Themen: Förderung Information u. Kommunikation

Weitere Informationen

Projektträger