Das Projekt ALL2GaN adressiert in umfassender Weise die technologischen Herausforderungen hinsichtlich der Anpassung der GaN-Technologie an die Leistungs- und Hochfrequenz-Elektronik. Die Projektergebnisse sollen die technische Umsetzbarkeit der GaN-Technologie fördern und deren Potential in Richtung Energieeffizienz, Miniaturisierung, reduziertem Gewicht und nachhaltiger Energienutzung entfalten. Mit dem Konsortium ist sichergestellt, dass die gewonnenen Erkenntnisse und technologischen Entwicklungen zu Durchbrüchen bei der Produktentwicklung führen und sich auf dem Markt durchsetzen. Das Fraunhofer IZM trägt durch die Anwendung einer fortgeschrittenen Aufbau- und Verbindungstechnik dazu bei, das Ziel einer kostengünstigen und zuverlässigen Lösung für die Integration mit guter thermischer Ankopplung von leistungsstarken GaN-Bauelementen in Hochfrequenz-Anwendungen bei höheren Frequenzen zu erreichen.