Im EU-Vorhaben "All2GaN2 arbeiten deutsche und europäische Partner zusammen, um führende Position Europas in Bezug auf Leistungshalbleiter und Hochleistungs-HF-Anwendungen zu sichern und weiter auszubauen. Zielstellungen der deutschen Partner adressieren dabei die Entwicklung von neuen Leistungs- und RF-GaN-Technologien für verschiedene Spannungsklassen, einschließlich einer modularen Reihe von integrierten System-on-Chip-Funktionen wie Strommessung, Schutz, Treiber und Halbbrücken sowie Packungstechnologien zur Unterstützung spezifischer Anforderungen an das GaN-Schichtsystem.Das Fraunhofer IMWS wird die Entwicklung von zuverlässigen High-Performance GaNBauelementen mit der Erforschung der mikrostrukturellen Eigenschaften und Auswirkungen von Grenzflächeneigenschaften und Defekten in den epitaktischen Schichten mittels hochauflösender Verfahren der Materialcharakterisierung und Fehlerdiagnostik unterstützen.