Die Forschung- und Entwicklungsarbeiten erfolgen im europäischen Partnerverbund ALL2GaN. Das IA Projekt ALL2GaN enthält die gesamte vertikale Wertschöpfungskette von zukünftigen GaN Technologien in der RF- und Leistungselektronik und umspannt Halbleitertechnologien, Packaging und Integration, Zuverlässigkeit und erarbeitet auf der Applikationsseite verschiedene Use-Cases / Anwendungen. Das übergeordnete Ziel dieses NaMLab Teilvorhabens ist die Integrations-Entwicklung einer ferroelektrischen Lage in die Gate Topologie eines GaN HEMTs (High-Elektron-Mobility-Transistor), um über das Schalten der ferroelektrischen Polarisation einen stabilen operativen Zustand mit niedriger ("low Vth") und hoher Einsatzspannung ("high_Vth") zu erreichen. Hierbei wird für den high-Vth Zustand eine Einsatzspannung im positiven Spannungsbereich angestrebt, so dass das Bauelement zwischen einem Anreicherungs-Typ bzw. normally-off (high_Vth) und einem Verarmungs-Typ bzw. normally-on (low Vth) Zustand eingestellt und betrieben werden kann. Ein Bauelement mit diesen operativen Eigenschaften in einer GaN-Technologie-Plattform erweitert die Funktionalität und Flexibilität zukünftiger integrierter GaN-IC-Schaltungen.