Das Teilvorhaben "GaN-Substrat-Prozessierung und –Charakterisierung" (All2GaN-GSPC) fügt sich in das Gesamtziel des Verbundvorhabens All2GaN ein. ALL2GaN soll das Rückgrat für die europäische Leistungselektronikindustrie bilden, indem es einen in der EU entwickelten Werkzeugkasten für die intelligente GaN-Integration anbie-tet. Das Projekt wird die Grundlage für Anwendungen mit deutlich höherer Material- und Energieeffizienz bilden, um so den globalen Energiebedarf nachhaltiger zu decken, indem der CO2-Fußabdruck minimiert wird. Das Ziel des Teilvorhabens ist die Weiterentwicklung bestehender Ansätze zur vorteilhaften Prozessierung von GaN-Substraten insbesondere die Strukturierung von GaN auf SiC- und auf so genannten "engineered"-Substraten auf gängigen Wafer-Formaten bis zu einer Größe von 200mm.