Die NanoWired GmbH hat mit dem NanoWirng Prozess mehrere leistungsfähigke Aufbau- und Verbidnungsverfahren entwickelt, das KlettWelding, das KlettGlueing sowie das KlettSintering. Die Leistungsfähigen Verfahren versprechen, das Potential der neuentwickelten GaN Transistoren deutlich besser auszuschöpfen als dies konventionelle Verfahren könnten. Ziel des Teilvorhabens der Firma NanoWired ist es, die NanoWired Technologien so weiter zu entwickeln, dass sie für die Aufbau- und Verbindungstechnik der sehr empfindlichen vertikalen GaN-Transistoren eingesetzt werden können. Dann werden die Verfahren an Demonstratoren angewendet, die anschließend den üblichen Testverfahren unterzogen werden.