Ziel des Projektes ist die Entwicklung einer Prozesstechnologie für die Herstellung von GaN-basierten vertikalen Membran-Leistungstransistoren in einer massenproduktionstauglichen Fertigungslinie auf 200 mm Wafern. Die X-FAB Global Service GmbH wird sich mit neu zu entwickelnden Prozessmodulen für die rückseitige Kontaktierung der in den unteren III-V Epitaxieschichten vergrabenen Drainschicht des vertikalen planar-Gate GaN Transistors beschäftigen. Ausgangspunkt sind dabei vorderseitig prozessierte Wafer aus der X-FAB Dresden. Forschungsschwerpunkte der XGS sind zunächst geeignete Technologien zur Abdünnung der Wafer ggf. in Kooperation mit Projektpartnern, zur lokalen Entfernung des Siliziumsubstrates unter Berücksichtigung bzw. Kompensation der mechanischen Verspannungen der Scheiben, der elektrischen Drainkontaktierung sowie der Rückseitenmetallisierung. Auf dieser Basis soll es ermöglicht werden, einen Foundry-Prozess zur Fertigung vertikaler GaN-Leistungstransistoren zu entwickeln.