Um den aktuell von Si-IGBTs dominierten Bereich für WBG Leistungstransistoren zu erschließen und deren herausragendes Potential nutzbar zu machen, wird YESvGaN einen neuen Transistortyp entwickeln, der die Vorteile niedriger Substratkosten mit den Vorteilen vertikaler Transistorarchitektur für hohe Sperrspannungen und Leistungen kombiniert. Bei diesem Membrantransistoransatz wird das Substrat inkl. aller weiteren Epitaxieschichten nach der Prozessierung rückseitig entfernt, sodass ein vertikaler Stromfluss ermöglicht wird und der eigentliche Transistor auf seine funktionalen Halbleiterschichten reduziert ist. Daraus resultieren erhebliche Kostenvorteile. Für einen aktuellen SiC-basierten Automobil-Inverter entfallen nahezu ein Drittel der Kosten auf die Transistorchips. Eine Einsparung bei den Transistorchips hat somit direkte Auswirkungen auf die Applikationskosten und erschließt neue Anwendungsfelder für die GaN Technologie in preissensitiven Marktbereichen. Die Arbeiten des IISB sind in ein internationales Konsortium von Forschern eingebettet. Auf europäischer Ebene arbeiten in YESvGaN 23 Stakeholder zusammen.