Das Gesamt-Projekt HiPERFORM zielt auf die industrielle Anwendbarkeit zu entwickelnder SiC- und GaN-Halbleiterbauelemente für künftige "Smart-Mobility-"/ "Smart Industry-"/ "Smart Energy- Produkte". Diese bieten großes Potential für höhere, mit Si-Bauelementen nicht erreichbare Performance und zugleich niedrigere Kosten der Elektronik, stärken damit die europäische Position auf diesem Gebiet und tragen zugleich substantiell zur Senkung der CO2-Emission im Transportsektor und damit zur Erreichen der europäischen Klimaziele bei. Das Ziel des Teilprojekts von FhG-FEP ist die Entwicklung einer Technologie zur epitaktischen AlN / GaN-Schichtabscheidung mittels Reaktiv-Magnetronsputterns, die Beschränkungen der bisher eingesetzten MOCVD-Abscheidetechnologie überwindet. Durch höhere Abscheideraten (Waferdurchsatz), geringere Kosten für die Ausgangssubstanzen und das Potenzial zum Übergang auf größere Wafer sollen die Fertigungskosten durch Nutzung des Sputterns wesentlich gesenkt werden.