Ziel von YESvGaN ist die Entwicklung hoch effizienter, kostengünstiger vertikaler Leistungstransistoren auf Basis des Wide Band Gap (WBG) Halbleiters Gallium Nitrid für Spannungsklassen bis 1200 V und Ströme bis 100 A. In diesem Segment mit di-versen Hochvolumenanwendungen (z.B. Inverter im E-mobil) sind aktuell nur effiziente, aber teure Siliziumkarbid Bauelemente (WBG) oder weniger effiziente aber günstige Silizium IGBTs verfügbar. Der innovative Membrantransistoransatz von YESvGaN zielt auf eine gleichwertige Performance zu aktuellen SiC Transistoren, bei vergleichbaren Kosten zu IGBTs, da das teure WBG Substrat für die Herstellung entfällt.