Das Hauptziel von YESvGaN ist die Erforschung innovativer, vertikaler Galliumnitrid (GaN)-Leistungstransistoren, die auf einem kostengünstigen Substrat wie Silizium hergestellt werden. Diese sogenannte vertikale Membranarchitektur kombiniert die überlegene Leistung von GaN als Halbleiter mit großem Bandabstand mit den Vorteilen einer vertikalen Architektur des Transistors in Bezug auf Strom- und Spannungsstabilität zu einem Preis der Silizium-IGBTs. Zu diesem Zweck wird die gesamte Wertschöpfungskette von Substrat, Epitaxie, Prozesstechnik, bis hin zu Anwendungen in relevanten Leistungselektroniksystemen behandelt. YESvGaN bündelt die relevanten Kompetenzen entlang der Wertschöpfungskette. Das Konsortium besteht aus großen Unternehmen, KMU und Instituten aus sieben europäischen Ländern